Samsung bräcker Intel på kretsar

En av de viktigaste egenskaperna som påverkar hur snabb och strömkrävande ett chipset är, är bredden på ledningsbanorna. Dagens chipset som Snapdragon 810 tillverkas i en 20 nanometersprocess, där alltså ledningarna är 20 nm breda, och en övergång till 14 nm-processer väntas ske i år. Varje övergång kräver nya dyra fabriker och är en stor omställning, men innebär samtidigt att man får plats med fler transistorer på samma kretsyta, och att dessa blir snabbare och mer strömsnåla.

De stora tillverkarna arbetar flera generationer framåt, och när Samsung på ISSCC-konferensen i San Francisco meddelade att man har den teknik som behövs för att krympa processerna till 5 nanometer, och har börjat utforska sätt att nå 3,25 nanometer hajade branschen till. Tidigare på samma konferens hade Intel nämligen meddelat att man inte ser något sätt att komma till 7 nanometer med kisel, utan att nya material måste till. Intel ses allmänt som teknikledande på halvledarkretsar, så när Samsung, som jämförelsevis är en uppstickare inom kretstillverkning, säger att de fixar något som Intel har svårt med är det lite av en skräll.

Nvidias nya chipset i benchmark

Nu sade inte Intel att man inte klarar att gå lägre än 7 nanometer, utan att man arbetar med nya material, mer exotiska än kisel, för att nå dessa nivåer. Indium-Gallium-Arsenid tros vara det material Intel arbetar med. Samsung å sin sida uttalade sig inte om de också tänkte använda sig av mer specialiserade material, eller om man hittat sätt att kringgå de begränsningar Intel stött på.

Samsungs Exynos 7-chipset, som väntas dyka upp i Galaxy S6 på söndag, ser ut att bli det första mobila chipsetet på marknaden som använder 14-nanometersteknik.

Källa