Samsung Foundry meddelar att man nu har inlett produktionen av kretsar som baserar sig på 3nm i Hwaseong-fabriken i Sydkorea. Kretsarna använder en ny form av transistorarkitektur som kallas GAA (Gate All Around) som både är mer flexibel när det handlar om design, men som inte minst påverkar bland annat prestandan på kretsarna.

Jämfört med kretsarna som baserar sig på 5nm räknar Samsung Foundry med att de nya kretsarna kommer att få 23 procent bättre prestanda, 45 procent lägre energiförbrukning samtidigt som de blir 16 procent mindre.

Redan nu finns dock långtgående utveckling på nästa generation med 3nm-kretsar där man räknar med 30 procent bättre prestanda, 50 procent lägre energiförbrukning och 35 procent mindre storlek.