En av få saker Qualcomm har berättat om Snapdragon 835 är att chipsetet ska vara försett med en ny generation av företagets snabbladdningsteknik, Quickcharge 4.

Till att börja med ska Quickcharge 4 kunna ladda mobilen 20 procent snabbare än Quickcharge 3, eller 2,5 gånger snabbare än den ursprungliga Quickcharge.

Google kan bannlysa snabbladdning

Energieffektiviteten ska också ha förbättrats med 30 procent sedan sist. det innebär dels att mindre el går till spillo när man laddar, dels att värmeutvecklingen blir mindre både i laddaren och i batteriet.

Det sista är av intresse för flera saker som snabbladdning fått kritik för på sistone. Dels hör uppvärmningen vid snabbladdning till en av de potentiella bovarna bakom att Samsung Galaxy Note 7 fattade eld och fick återkallas. Dels gör uppvärmningen att batteriets livslängd förkortas, något snabbladdning också har fått kritik för att orsaka. Med Quickcharge 4 ska batteriet vara fem grader svalare vid snabbladdning.

Säkerheten är i fokus även på andra områden. Fjärde generationens Quickcharge ska dels hålla koll på kabelkvaliteten, dels noga övervaka spänningsnivåer för att förhindra överladdning av batteriet och öka dess livslängd.

Quickcharge 4 ska som sagt finnas i Snapdragon 835, och vi lär nog se tekniken även i andra chipset som börjar levereras i mobiler under våren.

Källa