Ny standard ger snabbare lagringsminne

Det var länge sedan nu som klockfrekvensen på processorn var det bästa måttet på hur snabb en mobiltelefon är. I dag är det förmodligen den minst viktiga egenskapen, och andra faktorer som sätter tak för hastigheten är mängden processorkärnor och dess typ. Utanför processorn ska stora mängder data skyfflas, först till arbetsminnet (RAM) vars storlek och hastighet påverkar prestandan, sedan till lagringsminnet (Flash), som även det kommer med olika hastighet.

Hastigheten för lagringsutrymmet sätts i stor utsträckning av databussen som för över data mellan lagringsminnet och arbetsminnet, och att det kan få betydelse för prestandan upptäckte användare av Huawei P10, där tillverkaren hade olika minnesversioner i olika produktionsomgångar. Den snabbaste buss-standarden som används i dag är UFS 2.1 men nu har Jedec, organisationen bakom standarden, släppt den uppdaterade UFS 3.0.

Galaxy S9 tycks bara få 4 GB arbetsminne

Jämfört med UFS 2.1 ska version 3.0 ha fortsatt två datakanaler, men kapaciteten i varje kanal dubblas, vilket ger en maximal överföringshastighet på 23,2 Gbit/s. Detta inkluderar styrinformation och kvalitetskontroll så den faktiska datahastigheten är lägre. UFS 3.0 har dessutom stöd för spänningsnivån 2,5 volt, som används av en ny generation minneskretsar av nand-typ.

En ny standard tar tid att införa, och enligt uppgift har de senaste kretsarna från Qualcomm, Samsung, Hisilicon och Mediatek inte stöd för standarden ännu, så det lär dröja tills 2019 års modeller innan prestandaförbättringen börjar märkas.

Källa